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第一百零四章 传统的手段（第1页）

第一百零四章

正所谓，数理化不分家。

顾律是数学和物理的双料博士，没有理由，化学能够差到哪去。

纳米二氧化铈粉末的制备，非常简单。

首先，称取一定量的Ce（NO3）3-6H2O和六亚甲基四胺，配置成1：5的混合液。

第二步，混合液置于75摄氏度恒温水箱中水浴保温半小时。

第三步，在室温环境下陈化，用离心法分离沉淀。

最后一步，将沉淀洗涤后置于真空干燥箱中，在80摄氏度下烘干。

这样，经过以上四步之后，就可以得到纳米二氧化铈超细粉体。

二氧化铈粉体呈球形，径粒分布较均匀，径粒约为10纳米。

更重要的是，二氧化铈质地较为柔软，作为抛光磨料再也适合不过。

穿戴好白色的实验服，戴好手套口罩，顾律有条不紊的开始操作。

将近一个小时后，顾律提着一个蓝色的塑料小瓶，走出房间。

“顾先生，怎么样？”

一直在门外等候的林经理走上前来问道。

“一切顺利。”

顾律摘下口罩，笑呵呵的把手中的塑料瓶递给张经理，“我把实验服换下来，然后我们再一块去楼下车间试试效果。”

…………

几分钟后，顾律和张经理两人再次走进车间。

黄师傅拿着一块硅晶片板，一脸苦笑的走过来，“和顾先生说的一样，这次的精度测试和之前相同，表面粗糙度都在1纳米以上。”

顾律接过那块硅晶片，放在手中翻转仔细看了一下，然后用手指感受了一下触感，点点头，“应该就是抛光液的原因，正好二氧化铈抛光液已经制备出来了，再上机试一下吧。”

“我想这次，结果肯定会和之前大不相同的。”

顾律嘴角上扬，语气中带着无比的自信。

抛光机夹持住硅晶片，接着放入纳米二氧化铈粉末抛光液，最后，按下启动按钮。

机器开始运转。

顾律抱着胳膊，双眼紧盯着仪器。

同时，脑海中不停回忆着在普林斯顿大学图书馆中，看过关于这方面的内容。

在单硅晶片的化学机械抛光过程中，是主要存在化学腐蚀作用和机械磨削作用。

材料的去除，首先源于化学腐蚀作用。

一方面，在抛光过程中，硅片表面局部接触点产生高温高压，从而导致一系列复杂的摩擦化学反应。

纳米二氧化铈抛光液，其具有较高碱性组分和较柔软的纳米磨料颗粒。

在这两者作用下，使硅片表面形成腐蚀软质层，从而有效地减弱磨料对硅片基体的刻划作用，提高抛光效率和抛光表面质量，相应的，提高抛光后硅晶片的精度。