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第180章 asml又来了（第1页）

另一个时空，光刻机的发展经过了一个漫长的过程，1960年代的接触式光刻机、接近式光刻机，到1970年代的投影式光刻机，1980年代的步进式光刻机，到步进式扫描光刻机，到浸入式光刻机和8102年的EUV光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。

曝光光源方面，从1960年代初到1980年代中期，汞灯已用于光刻，其光谱线分别为436nm（g线）、405nm（h线）和365nm（i线）。

然而，随着半导体行业对更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高产量（更低成本）的需求，基于汞灯光源的光刻工具已不再能够满足半导体业界的高端要求。

1982年，IBM的KantiJain开创性的提出了“excimerlaserlithography（准分子激光光刻）”

，并进行了演示，现在准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）在全球集成电路生产中得到广泛使用。

在在发展的30年中，准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。

使得芯片制造中的最小特征尺寸从1990年的500nm推进至2016年10nm，再到8102年的台积电和三星实现量产的7nm产品。

这其中，汞灯的436nm（g线）、405nm（h线）和365nm（i线），准分子激光248nm都指的是光刻机用来光刻的曝光光源。

1971年Intel公司推出的10微米全球第一款4004微处理器，再到1980年2微米工艺的256KbDRAM，1984年1微米工艺的1MbDRAM，再到1991年此时即将问世的0.35微米工艺的64MbDRAM……10微米到0.35微米，指的是通过光刻机光刻等工艺，在芯片内部中，晶体管之间或者线最小可以做到的距离。

微米和纳米的概念，到底有多宽或者多细，大家可以体会一下：

1毫米（mm）等于1000微米（μm），一微米（μm）等于1000纳米（nm）。

而成年男性的头发直径一般在40到80微米之间，女性的头发直径则一般在20微米到40微米之间，小孩子的头发则是40微米左右。

也就是说，此时工艺为1微米的芯片中，晶体管的线宽大概是小孩头发直径的140；换而言之，直径40微米的头发横切之后的面积上，按照1微米的工艺光刻，可以光刻20-30个晶体管！

而光刻工艺越好，工艺制程越小，芯片集成度越高，性能越好，功耗越低。

所以，电子产品不断追求卓越性能的背后，是芯片的处理能力的不断上升！

而反应到芯片生产厂家和芯片制造设备上，就是对芯片制程工艺的不断缩小和光刻机等设备光刻特征尺寸的不断缩小。

所以，余子贤一心一想要ASML可以制造出0.8微米工艺制程芯片的PAS5000光刻机，最次也要拿到1.2微米的PAS2300光刻机。

甚至不惜，给ASML制造一些紧张气息，透露PAS5500扫描式步进光刻机的相关信息！

“你怎么知道我们PAS5500型光刻机即将上世的？”

里托斯·基维先生站了起来，怼着余子贤的脸，严肃的问道！

“里托斯·基维先生，我们的合作的可能已经消失了……所以，很抱歉，我不可能告诉你原因的！”

“不不……余先生，一切皆有可能！”

“走吧……”

余子贤直接带头站了起来，带着其他几个人向外走去！

余子贤就这样走出去，虽然更多的是想给ASML一些压力，让他们退让，愿意以合理价格出售自己想要的光刻机！

就算是1微米的PAS2500出售有困难，但是如果ASML可以无偿将1.5微米的PAS2300升级到1.2微米，倒也不是不可以接受。

不过，余子贤在看到天下的乌鸦一般黑之后，已经做好了最坏的打算。

之前，余子贤本来想着捡PAS2300的便宜，可是如果只是1.5微米的制程，余子贤还想再看一看，他想让曹飞他们再重点公关一下佳能，或许以可以接受的价格引进1.2微米的光刻机有可能！

里托斯·基维一看余子贤直接到这人走了，也是有点急了，再次大声喊道：“余先生，你等一等，我立即向总部申请！”

牵扯到PAS5500光刻机的上市，他不得不慎重。

更何况，在他看来，香积电确实是PAS2300光刻机非常合适的买主！

目前，湾岛的苔积电和联华电厂房建设早已经结束，而前两年的苔积电，代工商业模式不被认可，订单稀少。

经过这两年的发展，湾岛半导体行业才实现起步，开始逐步盈利。

刚完成投资的苔积电，在短时间内很难继续再建设新生产线。

关键是随着PAS5500的上市，上市于85年PAS2300系列光刻机，处于即将被主流市场淘汰的边缘。

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湾岛找不到买家，那么在尼康垄断的曰本和韩国市场，更不可能找到买家。

难道真要运回去？